Toshiba y Western Digital inauguran la planta de fabricación de semiconductores fab 2

Toshiba y Western Digital inauguran la planta de fabricación de semiconductores fab 2
Las operaciones de Yokkaichi harán uso del sistema de producción integrado de toda la planta.

La nueva factoría se encuentra ubicada en Yokkaichi, prefectura de Mie, Japón.

Toshiba Corporation y Western Digital Corporation inauguraron la nueva planta de fabricación de semiconductores Fab 2 ubicada en Yokkaichi, prefectura de Mie, Japón.

El mayor uso de memoria flash en los teléfonos inteligentes, unidades de estado sólido (solid state drives, SSD) y otras aplicaciones está alentando el crecimiento continuo del mercado mundial de este tipo de memorias.

La nueva Fab 2 permitirá la conversión de la capacidad de NAND 2D de ambas compañías a memoria flash 3D, lo que permitirá la fabricación de soluciones que ofrezcan mayores densidades y un mejor rendimiento de los dispositivos.

La construcción de la nueva Fab 2 comenzó en septiembre de 2014. Tras la conclusión parcial de la planta en octubre de 2015, Toshiba y SanDisk (adquirida en mayo de 2016 por Western Digital Technologies Inc., una subsidiaria de propiedad absoluta de Western Digital Corporation) trabajaron en conjunto para implementar capacidades de fabricación de avanzada para la producción en masa de memoria flash 3D, cuya primera fase arrancó en marzo de este año.

Las partes planean seguir invirtiendo para ampliar la capacidad de producción con el tiempo, en función de las condiciones del mercado.

Además, las operaciones de Yokkaichi harán uso del sistema de producción integrado de toda la planta, el cual procesa grandes cantidades de información para analizar más de 1600 millones de puntos de datos todos los días, para mejorar aun más la eficiencia en la fabricación y la calidad de la memoria flash 3D.

Las partes se han comprometido a trabajar juntas para incrementar el valor que ofrecen a los clientes y continuar innovando como líderes del mercado.

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Satoshi Tsunakawa, presidente y CEO de Toshiba Corporation, dijo: “Las tecnologías avanzadas subrayan nuestro compromiso de satisfacer la demanda continua como innovadores en memoria flash. Estamos mejorando la eficiencia en la fabricación y la calidad de nuestras instalaciones de primer nivel. Sumado a eso, también planeamos inversiones de hasta 860 000 millones de yenes para el año fiscal 2018, dependiendo de la situación del mercado. Tenemos un firme compromiso y confiamos en que nuestra empresa conjunta con Western Digital producirá memorias competitivas de última generación en Yokkaichi”.

Por su parte, el director ejecutivo de Western Digital, Steve Milligan, comentó lo siguiente: “Como líderes en soluciones y productos de memoria no volátil, estamos muy contentos de ingresar en la era de NAND 3D con nuestro socio Toshiba. La Nueva Fab 2 nos permite iniciar la conversión de nuestra capacidad existente de NAND 2D a NAND 3D y continuar con nuestra presencia de larga data en Yokkaichi, prefectura de Mie, y en Japón”.

Descripción general de la nueva Fab 2 – estructura del edificio:

• 2 plantas de hormigón armado con marco de acero, cinco pisos
• Superficie del edificio: aproximadamente 27 600 m2
• Inicio de la obra: septiembre de 2014
• Conclusión del edificio: julio de 2016

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